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一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法技术

来源：花匠小妙招时间：2025-09-18 06:56

一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法，其步骤是秋后立冬前深耕25厘米；春3月中下旬用划行器划沟；沟内的两边洒草木灰或硫酸钾，沟内的中间洒硝酸磷肥；按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于4月15日前后，按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株；于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株。本发明专利技术可节省三分之二的管理用工，且产量效益各增加80-120%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于农作物种植方法，具体涉及。
技术介绍
北方的种植西瓜方法是施肥、盖膜、单种作物。出苗后打叉、压蔓、选留2-3个花蕾，误工多，效益一般。种植甘薯的方法是平地、打穴、点水、打叉、中耕2-3遍，翻秧2-3次，亩产 1000-1500公斤，效益较低。
技术实现思路
为了节省用工，提高产量，本专利技术提出。本专利技术的技术方案本专利技术选择旱地红壤土或纯砂土质地块，肥力中等以上。秋后立冬前，日均气温在；TC以上的时间，深耕25厘米。春3月中下旬，在10-13毫米较大降水后地皮干后，用划行器划沟。沟内两边洒草木灰或有效钾肥含量50%以上的硫酸钾，沟内中间洒含氮沈％、含磷1 的硝酸磷肥，每亩每种化肥均按20公斤。也可以用5公斤的草木灰替代20公斤的有效钾肥含量50%以上的硫酸钾。划沟后起垄按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米。然后用宽度是90-100厘米、厚度是0. 007微膜覆盖。微膜选用外面银灰色里面黑色的效果更佳。4月15日前后，按60厘米株距膜上“M”型中间低处种一行西瓜，亩种1200株左右...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴太平，
申请(专利权)人：吴太平，
类型：发明
国别省市：