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电子俘获型材料Sr

来源：花匠小妙招时间：2025-02-16 11:40

《光谱学与光谱分析》 2014年06期

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张哲徐旭辉邱建备张新余雪开通知网号

【摘要】：通过高温固相法制备出系列电子俘获型材料Sr3SiO5∶Eu2+,RE3+(RE=Nd3+,Ho3+,La3+),并对其光激励和长余辉性能进行了研究。经过紫外光源激发后,利用980nm激光照射时,表现出很强的上转换光激励信息读出响应,其归因于较深陷阱(438K)的存在,这种性能在Sr3SiO5∶Eu2+,La3+和Sr3SiO5∶Eu2+,Ho3+两种材料表现尤为明显。随后,对陷阱的深度和载流子浓度进行了研究,并分析产生光激励性能的原因。热释光光谱中电子俘获参数的计算是通过Chen’s半宽方法,得出438K所对应的陷阱深度值,并与980nm激光辐照光源的能量形成对比。与此同时,共掺稀土离子后的余辉性能也有着较大幅度的提高,Sr3SiO5∶Eu2+,La3+的余辉时间更是达到12h以上。研究结果显示,共掺样品的陷阱结构的改变是导致其光激励及余辉性能的根本原因。

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