一种利用电场培养豆芽的培养箱装置和培养方法
本发明涉及豆芽培养,特别涉及一种利用电场培养豆芽的培养箱装置和培养方法。
背景技术:
1、豆芽作为一种可以食用的活体蔬菜,品种丰富,营养全面,是常见的蔬菜,且其生产方式简单,生产周期短。目前常见的豆芽培育,大都需要人工频繁的喷淋、洒水,还需要人工去控制培育温度,不仅加重了人工负担,还会因为人工控制温度不精确而出现腐烂、坏根等问题。同时因其市场需求量巨大,仍有不法商家为了追求经济利益,在豆芽的生产中添加有害人体健康的添加剂,长期食用将损害人体健康。
2、目前,大规模的活体豆芽的培养一般采用的都是采用培育箱,通过精确地调整温度与湿度避免腐烂、坏根情况的出现,来提升豆芽的品质。但罕有能够促进豆芽生长的装置被报道。
3、因此,亟待一种能够提升豆芽品质、促进豆芽生长且不会损害人体健康的豆芽生产培养装置。
技术实现思路
1、为了解决现有技术存在的问题,本发明提供了一种利用电场培养豆芽的培养箱装置,包括开口的箱体、与所述箱体可拆卸连接的门板,其特征在于,所述箱体内设置若干隔间,所述隔间内设置有电场产生部件以及豆芽培养盒;
2、所述电场产生部件能产生相对所述豆芽培养盒方向垂直或平行且不同强度的直流电场。
3、进一步地,箱体和门板的可拆卸连接可以是铰接、锁扣、卡接等。
4、进一步地,所述电场产生部件包括极板、固定调节部件和直流电源,
5、所述固定调节部件用于固定所述极板并调节所述极板间的距离,所述固定调节部件可以为螺栓;
6、所述直流电源与所述极板连接,用于给极板提供直流电压。
7、进一步地,所述电场产生部件提供的直流电场的强度为0.01~0.03kv/cm。
8、进一步地,所述隔间的侧壁还设置有加热部件,
9、所述加热部件包括电性连接的加热片、温度探头和温度控制器。
10、进一步地,所述豆芽培养盒包括上部开口的盒体、多孔板和纱布,
11、所述多孔板拆卸连接在盒体内部;
12、所述纱布覆盖在所述多孔板上部。
13、进一步地,所述隔间的顶部、底部或侧壁还设置有通孔。
14、进一步地,所述装置还包括遮光罩,所述遮光罩覆盖于所述箱体的外表面。
15、本发明还提供了上述的利用电场培养豆芽的培养箱装置进行豆芽培养的方法,包括,
16、将完成浸豆操作的豆种放置于豆芽培养盒中,调节电场产生部件,并控制温度、调节湿度,使得豆种在电场作用下完成避光培养。
17、进一步地,所述浸豆操作包括,
18、使用65~80℃水将豆种浸烫2~3min,随后在避光条件下将浸烫完成的豆种在20~30℃水中浸泡6~12h。
19、相对于现有技术,本发明具有以下的有益效果:
20、1、本发明创新地利用电场培育绿豆芽,与传统的绿豆芽工业培育方式相比,可在保证食品安全的前提下提高绿豆芽的品质;
21、2、本发明的豆芽培养装置设置若干隔间,每个隔间内电场产生部件能产生相对所述豆芽培养盒方向垂直或平行且不同强度的直流电场,可以满足不同豆芽生长对于电场的需求。
技术特征:
1.一种利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,包括开口的箱体、与所述箱体可拆卸连接的门板,其特征在于,所述箱体内设置若干隔间,所述隔间内设置有电场产生部件以及豆芽培养盒;
2.根据权利要求1所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,所述电场产生部件包括极板、固定调节部件和直流电源,
3.根据权利要求1所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,所述电场产生部件提供的直流电场的强度为0.01~0.03kv/cm。
4.根据权利要求1所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,所述隔间的侧壁还设置有加热部件,
5.根据权利要求1所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,所述豆芽培养盒包括上部开口的盒体、多孔板和纱布,
6.根据权利要求1所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,所述隔间的顶部、底部或侧壁还设置有通孔。
7.根据权利要求1~6任一项所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置,其特征在于,还包括遮光罩,所述遮光罩覆盖于所述箱体的外表面。
8.一种使用权利要求1~7任一项所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置进行豆芽培养的方法,其特征在于,包括,
9.根据权利要求8所述的利用电场培养豆芽的培养箱装置进行豆芽培养的方法,其特征在于,所述浸豆操作包括,
技术总结
本发明公开了一种利用电场培养豆芽的培养箱装置和培养方法,所述装置包括开口的箱体、与所述箱体可拆卸连接的门板,其特征在于,所述箱体内设置若干隔间,所述隔间内设置有电场产生部件以及豆芽培养盒;所述电场产生部件能产生相对所述豆芽培养盒方向垂直或平行且不同强度的直流电场。本发明创新地利用电场培育绿豆芽,与传统的绿豆芽工业培育方式相比,可在保证食品安全的前提下提高绿豆芽的品质;本发明的豆芽培养装置设置若干隔间,每个隔间内电场产生部件能产生相对所述豆芽培养盒方向垂直或平行且不同强度的直流电场,可以满足不同豆芽生长对于电场的需求。
技术研发人员:宋天棋,江雨彤,鲁海亮,袁婷婷,蓝磊,田志曈,郝鑫,何家旭,王靖伦
受保护的技术使用者:武汉大学
技术研发日:
技术公布日:2024/1/5
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